内容简介
本书的第3版，把当前数字集成电路中已无可争议地占主导地位的CMOS电路技术作为主要内容。全书以当前工业界领先的0.18T微米和0.13微米的工艺技术为基础，注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料，如的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度（Logic Effort）的高速CMOS电路设计技术、电源网络设计等。此外，第3版还新增了一些较新和较深的内容，如快闪存储器（Flash Memory)、铁电存储器（FRAM）、锁相环（PLL）等，因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。